- توضیحات
- توضیحات تکمیلی
- دانلود
- نظرات (0)
توضیحات
ماسفت AP20N03D یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) است که با استفاده از فناوری ای پیشرفته طراحی شده است. این ماسفت ویژگیهای زیر را دارد:
ویژگیها:
- ولتاژ درین-سورس (VDS): حداکثر 30 ولت
- جریان درین (ID): حداکثر 20 آمپر
- مقاومت در حالت روشن (RDS(ON)): کمتر از 25 میلیاهم در ولتاژ گیت 10 ولت
- ولتاژ گیت (VGS): قابلیت کار با ولتاژهای گیت به اندازه 4.5 ولت
کاربردها:
- حفاظت از باتری: این ماسفت میتواند در مدارهای حفاظت از باتریها استفاده شود تا از شارژ و دشارژ غیرمجاز جلوگیری کند.
- سوئیچ بار: میتوان از آن به عنوان سوئیچ برای کنترل بارهای الکتریکی استفاده کرد.
- منبع تغذیه بدون وقفه (UPS): در سیستمهای UPS برای مدیریت و کنترل جریان برق به کار میرود.
مزایا:
- RDS(ON) پایین: این ویژگی باعث کاهش تلفات انرژی و افزایش کارایی در مدار میشود.
- بار گیت پایین: این امر به کاهش مصرف انرژی در مدارهای کنترل کمک میکند.
- عملکرد در ولتاژهای گیت پایین: این ویژگی به طراحی مدارهای سادهتر و کمهزینهتر کمک میکند.
به طور کلی، AP20N03D یک گزینه مناسب برای کاربردهای مختلف در حوزه الکترونیک قدرت و مدیریت انرژی است.
توضیحات تکمیلی
| Manufacturer | A Power microelectronics |
|---|---|
| Package | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation | 20.8W |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| Gate Charge(Qg) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| RDS(on) | 15.6mΩ@10V,10A |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 216pF@15V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.6V |
| Type | 1 N-channel |
C3011268.pdf
(pdf, 1969KB)
datasheet
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.