NDS356AP
3,670تومان
- 30V 1.1A 0.5W 0.3Ω@4.5V,1.1A 1.6V 1 piece P-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
- P-Channel Logic Level Enhancement Mode FET, Current:1.1A, Voltage:30V
- supplier# C236918
- توضیحات
- دانلود
- توضیحات تکمیلی
- نظرات (0)
- دانلود دیتاشیت
توضیحات
توضیحات
ترانزیستور MOSFET مدل NDS356AP
ترانزیستور MOSFET با شماره قطعه NDS356AP ساخت شرکت onsemi و از نوع P-Channel Logic Level Enhancement Mode می‌باشد. این ترانزیستور برای کاربردهای با ولتاژ پایین مانند مدیریت توان در لپ‌تاپ‌ها و مدارهای الکترونیکی قابل حمل طراحی شده است. ترانزیستور NDS356AP به طور خاص برای کاربردهای مدیریت توان در لپ‌تاپ‌ها، الکترونیک قابل حمل و دیگر مدارهای باتری‌خور طراحی شده است.
ویژگی‌ها
این ترانزیستور با استفاده از فناوری DMOS با چگالی بالا تولید شده است که به حداقل رساندن مقاومت، در حالت روشن کمک می‌کند. طراحی آن به گونه‌ای است که برای کاربردهای با ولتاژ پایین و نیاز به سوئیچینگ سریع و اتلاف توان کم مناسب باشد. این قطعه در بسته‌بندی SOT-23-3 عرضه می‌شود که با وجود ابعاد کوچک خود، قابلیت‌های حرارتی و الکتریکی فوق‌العاده‌ای دارد.
مشخصات فنی
- جریان (Id): 1.1A
- ولتاژ (Vds): 30V
- قدرت اتلاف (Pd): 0.5W
- ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)): 1.6V
- ظرفیت معکوس انتقال (Crss): 65pF @ 10V
- ظرفیت ورودی (Ciss): 280pF @ 10V
- بار گیت (Qg): 4.4nC
- دمای عملیاتی: -55℃ تا +150℃
حداکثر مشخصات مطلق
- ولتاژ درین-سورس (V DSS): -30V
- ولتاژ گیت-سورس (V GSS): ±20V
- جریان درین حداکثر (I D): ±1.1A (پیوسته)
- قدرت اتلاف حداکثر (P D): 0.5W
- محدوده دما: -55 تا 150 °C
دانلود
توضیحات تکمیلی
توضیحات تکمیلی
| Category | Transistors/Thyristors/MOSFETs |
|---|---|
| Manufacturer | onsemi |
| Package | SOT-23-3 |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.1A |
| Pd - Power Dissipation | 0.5W |
| RDS(on) | 0.3Ω@4.5V,1.1A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 65pF@10V |
| Type | 1 piece P-channel |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 280pF@10V |
| Gate Charge(Qg) | 4.4nC |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.