- توضیحات
- توضیحات تکمیلی
- دانلود
- نظرات (0)
توضیحات
ترانزیستور SI2333CDS-T1-GE3-VB یک MOSFET نوع P-channel است که برای کاربردهای مختلف الکترونیکی طراحی شده است. این قطعه دارای ولتاژ درین سورس 20 ولت و جریان مداوم 3.5 آمپر است که آن را برای استفاده در مدارهای قدرت مناسب میسازد. با ظرفیتهای ورودی و انتقال معکوس مناسب، این ترانزیستور میتواند در مدارهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها به کار رود. دمای عملیاتی گسترده آن از -55 درجه سانتیگراد تا +150 درجه سانتیگراد، آن را برای استفاده در شرایط محیطی سخت مناسب میسازد.
| ویژگی | توضیحات |
|---|---|
| شماره قطعه تولید کننده | SI2333CDS-T1-GE3-VB |
| دسته بندی | ترانزیستورها/تیرستورها/MOSFETها |
| تولید کننده | VBsemi Elec |
| بسته بندی | SOT-23 |
| ولتاژ درین – سورس | 20V |
| جریان – درین مداوم (Id) | 3.5A |
| پراکندگی توان (Pd) | 1.6W |
| ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)@Id) | 1.5V |
| ظرفیت انتقال معکوس (Crss@Vds) | 155pF@10V |
| نوع | یک عدد P-channel |
| ظرفیت ورودی (Ciss@Vds) | 835pF@10V |
| بار گیت (Qg) | 6.4nC@2.5V |
| دمای عملیاتی | -55℃~+150℃@(Tj) |
توضیحات تکمیلی
| Category | Transistors/Thyristors/MOSFETs |
|---|---|
| Manufacturer | VBsemi Elec |
| Package | SOT-23 |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.5A |
| RDS(on) | – |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 155pF@10V |
| Type | 1 piece P-channel |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 835pF@10V |
| Gate Charge(Qg) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
VBsemi-Elec-SI2333CDS-T1-GE3-VB_C558259
(pdf, 210KB)
datasheet
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.